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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1SS82TD-E

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Descrição: DIODE 200V 200MA DO35

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 nA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 nA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
1SS82TD-E
Diodo 200 V 200mA através do furo DO-35