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1N4446
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 20 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
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Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 20 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
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Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
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Tecnologia:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
1N4446
Diodo 100 V 200 mA através do buraco DO-35

Tags:

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