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E4D20120G
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Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
E-Series, automóvel
Capacidade @ Vr, F:
1474pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
56A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
E4D20120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
E-Series, automóvel
Capacidade @ Vr, F:
1474pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
56A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
E4D20120
E4D20120G
Diodo 1200 V 56A Montador de superfície TO-263-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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