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IDH10G120C5XKSA1
IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
62 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
525 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH10G120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
62 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
525 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH10G120
IDH10G120C5XKSA1
Diodo 1200 V 10A através do buraco PG-TO220-2-1

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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