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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
400 µA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 500 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-26
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AE, DO-26, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
750mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
400 µA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 500 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
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Embalagem / Caixa:
DO-204AE, DO-26, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
750mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE117
Diodo 600 V 750 mA através do buraco DO-26

Tags:

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