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JANTX1N6779
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 15A TO257

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 480 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 15 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
300 pF @ 5V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-257
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-257-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
15A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 480 V
Tipo de Montagem:
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Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
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Pacote:
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Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
15A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N6779
Diodo 600 V 15A através do buraco TO-257

Tags:

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