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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSD10120A

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Descrição: Diódio carburo de silício 1,2 KV TO252AA

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
612pF @ 1V, 100kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
FFSD10120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
612pF @ 1V, 100kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
FFSD10120
FFSD10120A
Diodo de 1200 V montado na superfície TO-252AA