logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos
Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > 1N5061 TR PBFREE

1N5061 TR PBFREE

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
GPR-1A
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
R-1, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
GPR-1A
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
R-1, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5061 TR PBFREE
Diodo 600 V 1A através do buraco GPR-1A