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TRS12N65FB, S1Q
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
6A (CC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
TRS12N65
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 650 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
6A (CC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
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Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
TRS12N65
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 650 V
TRS12N65FB, S1Q
Diodo 1 par Cátodo comum 650 V 6A (DC) através do buraco TO-247-3

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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