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Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > VS-3C08ET07S2L-M3
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VS-3C08ET07S2L-M3
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: 650 V POWER SIC GEN 3 PIN MERGED

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
45 µA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
340 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
45 µA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
340 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
VS-3C08ET07S2L-M3
Diodo 650 V 8A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)

Tags:

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