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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SEG10FG-M3/I

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Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 700 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
7.3pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-219AB (SMF)
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,2 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-219AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 700 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
7.3pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-219AB (SMF)
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,2 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-219AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
SEG10FG-M3/I
Diodo de 400 V 1A montado na superfície DO-219AB (SMF)