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SBT20120LCT_T0_00001

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: Ultra Baixo VF Barreira Escocesa

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
10A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
820 mV @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SBT20120
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 120 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
10A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
820 mV @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SBT20120
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 120 V
SBT20120LCT_T0_00001
Diodo 1 par Cátodo comum 120 V 10 A através do buraco TO-220-3