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1N4447
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Descrição: DIODE GEN PURP 100V DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N4447
Categoria:
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Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N4447
1N4447
Diodo de 100 V através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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