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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RGP10J

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Número do produto de base:
RGP10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Número do produto de base:
RGP10
RGP10J
Diodo 600 V 1A através do buraco DO-41