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S4D20120D
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Descrição: DIODO SCHOTTKY DE CARBETO DE SILÍCIO

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
10A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Soluções de diodos SMC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
S4D20120
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 1200 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
10A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
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Tecnologia:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
S4D20120
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 1200 V
S4D20120D
Diodo 1 par Cátodo comum 1200 V 10A através do buraco TO-247-3

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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