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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 60 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 400 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
60 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAW27
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 60 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 400 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
60 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAW27
BAW27-TAP
Diodo 60 V 600 mA através do buraco DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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