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Descrição: JFET N-Channel -40V Ciss baixa

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
banda
Série:
SMPJ232
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 20 V
Mfr:
InterFET
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
4.5 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3
Embalagem / Caixa:
SOT-23-3
Potência - Máximo:
350 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
3 pF @ 20V
Resistência - RDS (sobre):
430 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de FET:
N-canal
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Pacote:
banda
Série:
SMPJ232
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 20 V
Mfr:
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Potência - Máximo:
350 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
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Resistência - RDS (sobre):
430 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
SMPJ232
JFET N-Channel 350 mW Superfície montada SOT-23-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

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