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J109.126
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Descrição: JFET N-CH 25V TO92-3

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
2 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Potência - Máximo:
400 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
30pF @ 10V (VGS)
Resistência - RDS (sobre):
12 ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
25 V
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
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30pF @ 10V (VGS)
Resistência - RDS (sobre):
12 ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
25 V
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
J109.126
JFET N-Channel 25 V 400 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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