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2N5116

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Descrição: JFET P-CH 30V TO18

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Descrição do produto

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs	Tipo de FET:	P-canal
Estatuto do produto:	Atividade	Tensão - divisão (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montagem:	Através do Buraco	Pacote:	Caixa
Série:	-	Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):	5 mA @ 15 V
Mfr:	Central Semiconductor Corp.	Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:	1 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-18	Embalagem / Caixa:	TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Temperatura de funcionamento:	-65°C ~ 200°C (TJ)	Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	25pF @ 15V
Potência - Máximo:	500 mW	Resistência - RDS (sobre):	150 Ohms

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:	P-canal
Estatuto do produto:	Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montagem:	Através do Buraco
Pacote:	Caixa
Série:	-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):	5 mA @ 15 V
Mfr:	Central Semiconductor Corp.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:	1 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-18
Embalagem / Caixa:	TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Temperatura de funcionamento:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	25pF @ 15V
Potência - Máximo:	500 mW
Resistência - RDS (sobre):	150 Ohms

2N5116

JFET P-Channel 30 V 500 mW através do buraco TO-18

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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