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2N4416A-E3
2N4416A-E3

2N4416A-E3

Detalhes do produto

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Descrição: JFET N-CH 35V TO206AF

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-206AF (TO-72)
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
2.5 V @ 1 nA
Potência - Máximo:
300 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamento:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 15V
Embalagem / Caixa:
TO-206AF, TO-72-4 Caneta de metal
Número do produto de base:
2N4416
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-206AF (TO-72)
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
2.5 V @ 1 nA
Potência - Máximo:
300 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamento:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 15V
Embalagem / Caixa:
TO-206AF, TO-72-4 Caneta de metal
Número do produto de base:
2N4416
2N4416A-E3
JFET N-Channel 35 V 300 mW através do buraco TO-206AF (TO-72)

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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