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J174.126
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Descrição: JFET P-CH 30V TO92-3

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NXP EUA Inc.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
5 V @ 10 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Potência - Máximo:
400 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistência - RDS (sobre):
85 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NXP EUA Inc.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
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Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
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Potência - Máximo:
400 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistência - RDS (sobre):
85 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
J174.126
JFET P-Channel 30 V 400 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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