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MS2N5116
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET P-CH 30V TO18

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
1 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18 (TO-206AA)
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Potência - Máximo:
500 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
175 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
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Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
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27pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
175 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MS2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW através do buraco TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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