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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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TIS75_D26Z

Detalhes do produto

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Descrição: JFET N-CH 30V TO92-3

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
800 mV @ 4 na
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
60 Ohms
Número do produto de base:
TIS75
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
800 mV @ 4 na
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
60 Ohms
Número do produto de base:
TIS75
TIS75_D26Z
JFET N-Channel 30 V 350 mW através do buraco TO-92-3