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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET N-CH 30V TO92-3

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
800 mV @ 4 na
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
60 Ohms
Número do produto de base:
TIS75
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
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Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
800 mV @ 4 na
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamento:
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
60 Ohms
Número do produto de base:
TIS75
TIS75
JFET N-Channel 30 V 350 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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