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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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J174_D27Z

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Descrição: JFET P-CH 30V TO92-3

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
5 V @ 10 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
85 Ohms
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
5 V @ 10 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
85 Ohms
Número do produto de base:
Cloreto de sódio
J174_D27Z
JFET P-Channel 30 V 350 mW através do buraco TO-92-3