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J111_D75Z
J111_D75Z

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET N-CH 35V TO92-3

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
625 mW
Resistência - RDS (sobre):
30 Ohms
Número do produto de base:
J111
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
625 mW
Resistência - RDS (sobre):
30 Ohms
Número do produto de base:
J111
J111_D75Z
JFET N-Channel 35 V 625 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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