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NTE133

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Detalhes do produto

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Descrição: JFET N-CH 25V TO106

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Saco
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 15 V
Mfr:
Eletrônica de NTE, Inc
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
6.5 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-106
Embalagem / Caixa:
TO-106-3 Cúpula
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
300 mW
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
25 V
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Tipo de FET:
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-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
300 mW
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
25 V
NTE133
JFET N-Channel 25 V 300 mW através do buraco TO-106

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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