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PN4303

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET N-CH 30V TO92-3

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
6 V @ 1 nA
Potência - Máximo:
625 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
PN430
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
6 V @ 1 nA
Potência - Máximo:
625 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
PN430
PN4303
JFET N-Channel 30 V 625 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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