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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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KSK30YBU

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Descrição: JFET N-CH 50V TO92-3

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
400 mV @ 100 nA
Potência - Máximo:
100 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
125°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 0V
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
KSK30
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
400 mV @ 100 nA
Potência - Máximo:
100 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
125°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 0V
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
KSK30
KSK30YBU
JFET N-Channel 50 V 100 mW através do buraco TO-92-3