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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MX2N5115UB

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Descrição: JFET P-CH 30V UB

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
15 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
UB
Embalagem / Caixa:
3-SMD, sem chumbo
Potência - Máximo:
500 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
100 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
15 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
UB
Embalagem / Caixa:
3-SMD, sem chumbo
Potência - Máximo:
500 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
100 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MX2N5115UB
JFET P-Channel 30 V 500 mW Montador de superfície UB