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2N3820
2N3820

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET P-CH 20V TO92-3

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
300 μA @ 10 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
8 V @ 10 μA
Potência - Máximo:
350 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
32 pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
2N3820
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
300 μA @ 10 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
8 V @ 10 μA
Potência - Máximo:
350 mW
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
32 pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto de base:
2N3820
2N3820
JFET P-Channel 20 V 350 mW através do buraco TO-92-3

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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