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MQ2N4857UB/TR
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Descrição: JFET N-CH 40V TO18

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
2 V @ 500 pA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18 (TO-206AA)
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Potência - Máximo:
360 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistência - RDS (sobre):
40 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
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Tipo de FET:
N-canal
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Tensão - divisão (V (BR) GSS):
40 V
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18pF @ 10V
Resistência - RDS (sobre):
40 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N4857UB/TR
JFET N-Channel 40 V 360 mW através do buraco TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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