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Descrição: JFET N-CH 40V TO18

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
-
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Potência - Máximo:
300 mW
Mfr:
De circuito integrado Inc.
Temperatura de funcionamento:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
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-
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40 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
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-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Potência - Máximo:
300 mW
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-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
2N4857
JFET 40 V 300 mW através do buraco TO-18

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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