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MX2N5116
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Detalhes do produto

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Descrição: JFET P-CH 30V TO18

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
4 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Potência - Máximo:
500 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
175 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Número do produto de base:
2N5116
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
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Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
4 V @ 1 nA
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TO-18
Embalagem / Caixa:
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500 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Resistência - RDS (sobre):
175 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Número do produto de base:
2N5116
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MX2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW através do buraco TO-18

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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