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MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: JFET P-CH 30V SOT23-3

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
800 mV @ 10 na
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3 (TO-236)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
225 mW
Resistência - RDS (sobre):
300 Ohms
Número do produto de base:
MMBFJ177
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
semi-
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
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SOT-23-3 (TO-236)
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
225 mW
Resistência - RDS (sobre):
300 Ohms
Número do produto de base:
MMBFJ177
MMBFJ177LT1G
P-canal 30 V de JFET montagem de superfície SOT-23-3 de 225 mW (TO-236)

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

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