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2SK879-Y(TE85L,F)
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Descrição: JFET N-CH 0.1W USM

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
USM
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
400 mV @ 100 nA
Potência - Máximo:
100 mW
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Temperatura de funcionamento:
125°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
SC-70, SOT-323
Número do produto de base:
2SK879
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Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Temperatura de funcionamento:
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
SC-70, SOT-323
Número do produto de base:
2SK879
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-Channel 100 mW Superfície montada USM

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

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