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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

J112

Detalhes do produto

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Descrição: JFET N-CH 35V TO92-3

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
5 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
50 Ohms
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
5 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
50 Ohms
J112
JFET N-Channel 35 V 350 mW através do buraco TO-92-3