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Descrição: JFET N-CH TO18

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
1 V @ 1 nA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Potência - Máximo:
350 mW
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistência - RDS (sobre):
60 Ohms
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
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Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistência - RDS (sobre):
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
BSV80
JFET N-Channel 350 mW através do buraco TO-18

Tags:

Transistor do Triode do diodo de IRFP90N20D,

Transistor do Triode do diodo através da montagem do furo,

transistor do Triode do diodo de 200V 50A

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