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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

2N5116

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Descrição: JFET P-CH 30V TO18

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Resistência - RDS (sobre):
150 Ohms
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Potência - Máximo:
500 mW
Mfr:
Estado Sólido Inc.
Temperatura de funcionamento:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
P-canal
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
BULK
Série:
-
Resistência - RDS (sobre):
150 Ohms
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Potência - Máximo:
500 mW
Mfr:
Estado Sólido Inc.
Temperatura de funcionamento:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW através do buraco TO-18