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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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J111RLRPG

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Descrição: JFET N-CH 35V TO92

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92 (TO-226)
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 Corpo longo (cabeças formadas)
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
30 Ohms
Número do produto de base:
J111
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores JFETs
Tipo de FET:
N-canal
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
35 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
3 V @ 1 μA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92 (TO-226)
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 Corpo longo (cabeças formadas)
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potência - Máximo:
350 mW
Resistência - RDS (sobre):
30 Ohms
Número do produto de base:
J111
J111RLRPG
JFET N-Channel 35 V 350 mW através do buraco TO-92 (TO-226)