Destacar:
Tipo: |
Outros, Transistores de junção bipolar, Transistores IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
- |
Série: |
padrão |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Descrição: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicação: |
Diodo de escocês |
Tipo de fornecedor: |
outros |
Referências cruzadas: |
padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
Diodo Schottky 40V 5A |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
- |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
- |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
- |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
- |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
- |
Potência - Máximo: |
- |
Frequência - transição: |
- |
Embalagem / Caixa: |
/ |
Resistor - base (R1): |
/ |
Resistor - base do emissor (R2): |
/ |
Tipo de FET: |
/ |
Característica do FET: |
padrão |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): |
/ |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: |
/ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
/ |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
/ |
Frequência: |
/ |
Câmbio de corrente nominal (Amp): |
/ |
Figura de ruído: |
/ |
Potência - saída: |
/ |
Voltagem nominal: |
/ |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
/ |
Vgs (máximo): |
/ |
Tipo de IGBT: |
/ |
Configuração: |
padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
/ |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
/ |
Input: |
/ |
Termistor NTC: |
// |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
/ |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
/ |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
/ |
Resistência - RDS (sobre): |
/ |
Voltagem: |
/ |
Tensão - saída: |
/ |
Tensão - offset (Vt): |
/ |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
/ |
Atual - vale (iv): |
/ |
Atual - pico: |
/ |
Aplicações: |
/ |
Tipo de transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Diodo Schottky 40V 5A Montador de superfície SMC MBRS540T3G SMC DO-214
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