DC22+
MOQ: 1pc
Pacote: Padrão
A gama de chips funcionais é ampla e abrange muitas áreas de aplicação diferentes, como comunicações, processamento de imagem, controle de sensores, processamento de áudio, gerenciamento de energia e muito mais.
Detalhes do produto
Lugar de origem: Guangdong, China
Marca: original
Número do modelo: la4508
Termos do pagamento & do transporte
Preço: $2.68/pieces 1-99 pieces
Detalhes da embalagem: Empacotamento antiestático
Habilidade da fonte: 1000 partes/partes por Semana
Tipo: |
IC CHIP, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
padrão |
Série: |
padrão |
Tipo de montagem: |
padrão |
Descrição: |
transistor do igbt |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicação: |
Amplificador de potência audio |
Tipo de fornecedor: |
outros |
Referências cruzadas: |
padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
Transistor |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
padrão |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
padrão |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
padrão |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
padrão |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
padrão |
Potência - Máximo: |
padrão |
Frequência - transição: |
padrão |
Embalagem / Caixa: |
padrão |
Resistor - base (R1): |
padrão |
Resistor - base do emissor (R2): |
padrão |
Tipo de FET: |
padrão |
Característica do FET: |
padrão |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): |
padrão |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: |
padrão |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
padrão |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
padrão |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
padrão |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
padrão |
Frequência: |
padrão |
Câmbio de corrente nominal (Amp): |
padrão |
Figura de ruído: |
padrão |
Potência - saída: |
padrão |
Voltagem nominal: |
padrão |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
padrão |
Vgs (máximo): |
padrão |
Tipo de IGBT: |
padrão |
Configuração: |
padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
padrão |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
padrão |
Input: |
padrão |
Termistor NTC: |
padrão |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
padrão |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
padrão |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
padrão |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
padrão |
Resistência - RDS (sobre): |
padrão |
Voltagem: |
padrão |
Tensão - saída: |
padrão |
Tensão - offset (Vt): |
padrão |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
padrão |
Atual - vale (iv): |
padrão |
Atual - pico: |
padrão |
Aplicações: |
padrão |
Tipo de transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Número do modelo:: |
Amplificador la4508 |
Embalagem:: |
ZIP10 |
Porto: |
Shenzhen |
Tipo: |
IC CHIP, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
padrão |
Série: |
padrão |
Tipo de montagem: |
padrão |
Descrição: |
transistor do igbt |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicação: |
Amplificador de potência audio |
Tipo de fornecedor: |
outros |
Referências cruzadas: |
padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
Transistor |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
padrão |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
padrão |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
padrão |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
padrão |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
padrão |
Potência - Máximo: |
padrão |
Frequência - transição: |
padrão |
Embalagem / Caixa: |
padrão |
Resistor - base (R1): |
padrão |
Resistor - base do emissor (R2): |
padrão |
Tipo de FET: |
padrão |
Característica do FET: |
padrão |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): |
padrão |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: |
padrão |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
padrão |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
padrão |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
padrão |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
padrão |
Frequência: |
padrão |
Câmbio de corrente nominal (Amp): |
padrão |
Figura de ruído: |
padrão |
Potência - saída: |
padrão |
Voltagem nominal: |
padrão |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
padrão |
Vgs (máximo): |
padrão |
Tipo de IGBT: |
padrão |
Configuração: |
padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
padrão |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
padrão |
Input: |
padrão |
Termistor NTC: |
padrão |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
padrão |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
padrão |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
padrão |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
padrão |
Resistência - RDS (sobre): |
padrão |
Voltagem: |
padrão |
Tensão - saída: |
padrão |
Tensão - offset (Vt): |
padrão |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
padrão |
Atual - vale (iv): |
padrão |
Atual - pico: |
padrão |
Aplicações: |
padrão |
Tipo de transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Número do modelo:: |
Amplificador la4508 |
Embalagem:: |
ZIP10 |
Porto: |
Shenzhen |
O tipo de chips que temos | ||||||
Circuitos integrados Componentes electrónicos | ICs de comparação | Código-Decodificador | ICs de toque | |||
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