Destacar:
Número da peça do fabricante: |
Classificação dos produtos em conformidade com o anexo II |
Tipo: |
Chip de memória |
Descrição: |
GDDR5 SGRAM |
Tensão - divisão: |
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Frequência - interruptor: |
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Poder (watts): |
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Temperatura de funcionamento: |
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Tipo de montagem: |
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Voltagem - Fornecimento (min): |
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Tensão - fonte (máxima): |
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Tensão - saída: |
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Atual - saída/canal: |
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Frequência: |
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Aplicações: |
Uso geral |
Tipo do FET: |
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Atual - saída (máxima): |
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Atual - fonte: |
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Voltagem - Fornecimento: |
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Frequência - Máximo: |
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Poder - máximo: |
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Tolerância: |
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Função: |
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Fornecimento de tensão - interna: |
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Frequência - interrupção ou centro: |
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Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo): |
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Poder isolado: |
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Voltagem - Isolamento: |
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Corrente - Alta e baixa potência: |
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Atual - saída máxima: |
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Tensão - dianteira (Vf) (tipo): |
/ |
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo): |
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Tipo de entrada: |
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Tipo de saída: |
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Relação de transferência atual (minuto): |
/ |
Relação de transferência atual (máxima): |
/ |
Voltagem - Saída (máximo): |
/ |
Tensão - fora do estado: |
/ |
DV/dt estático (minuto): |
/ |
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo): |
/ |
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo): |
/ |
Impedância: |
/ |
Impedância - desequilibrada/equilibrada: |
/ |
LO Frequência: |
/ |
Frequência do RF: |
/ |
Escala entrada: |
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Potência de saída: |
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A frequência une-se (baixo/elevação): |
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Especificações: |
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Tamanho/dimensão: |
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Modulação ou Protocolo: |
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interface: |
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Saídas de potência: |
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Tamanho de memória: |
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Protocolo: |
/ |
Modulação: |
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Relações de série: |
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GPIO: |
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IC utilizado/parte: |
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Normas: |
/ |
Estilo: |
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Tipo da memória: |
GOLE |
Memória que pode escrever-se: |
8GB |
Resistência (ohms): |
/ |
Referência: |
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SPQ: |
1120 |
Densidade: |
16K / 32 ms |
Org.: |
16K / 32 ms |
Velocidade: |
80,0 Gbps |
Refresque: |
16K / 32 ms |
Pacote: |
170FBGA |
Estatuto do produto: |
Produção em massa |
Porto: |
Shenzhen/ Hong Kong |
K4G80325FC-HC25 Circuitos Integrados Chip de Memória IC DRAM GDDR5 SGRAM 8G PARALLE FBGA MT51 Em estoque
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