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Novo e original LPDDR4 SDRAM Flash Memory Chip K4FBE3D4HM-MGCJ

Detalhes do produto

Lugar de origem: Guangdong, China

Marca: original

Termos do pagamento & do transporte

Quantidade de ordem mínima: 50 peças

Preço: $0.50/pieces 50-99 pieces

Detalhes da embalagem: Empacotamento antiestático

Habilidade da fonte: 10000 partes/partes por Semana

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Detalhes do produto

Descrição do produto

Destacar:

Fabricante Part Number:	K4FBE3D4HM-MGCJ	Tipo:	circuito integrado
Descrição:	K4FBE3D4HM-MGCJ	Voltagem - Avaria:	Padrão
Frequência - interruptor:	Padrão	Potência (watts):	Padrão
Temperatura de funcionamento:	Padrão	Tipo de montagem:	Padrão
Tensão - Fornecimento (Min):	Padrão	Voltagem - Fornecimento (máximo):	Padrão
Tensão - saída:	Padrão	Atual - saída/canal:	Padrão
Frequência:	Padrão	Aplicações:	Padrão
Tipo do FET:	Padrão	Atual - saída (máxima):	Padrão
Corrente - Fornecimento:	Padrão	Voltagem - Fornecimento:	Padrão
Frequência - Máximo:	Padrão	Poder - máximo:	Padrão
Tolerância:	Padrão	Função:	Padrão
Fornecimento de tensão - interna:	Padrão	Frequência - interrupção ou centro:	Padrão
Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo):	Padrão	Poder isolado:	Padrão
Tensão - isolamento:	Padrão	Corrente - Alta e baixa potência:	Padrão
Atual - saída máxima:	Padrão	Tensão - dianteira (Vf) (tipo):	Padrão
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo):	Padrão	Tipo entrado:	Padrão
Tipo de saída:	Padrão	Relação de transferência atual (minuto):	Padrão
Relação de transferência atual (máxima):	Padrão	Voltagem - Saída (máximo):	Padrão
Tensão - fora do estado:	Padrão	DV/dt estático (minuto):	Padrão
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo):	Padrão	Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo):	Padrão
Impedância:	Padrão	Impedância - desequilibrada/equilibrada:	Padrão
Frequência de LO:	Padrão	Frequência do RF:	Padrão
Escala entrada:	Padrão	Potência de saída:	Padrão
A frequência une-se (baixo/elevação):	Padrão	Especificações:	Padrão
Tamanho / Dimensão:	Padrão	Modulação ou protocolo:	Padrão
interface:	Padrão	Saídas de potência:	Padrão
Tamanho de memória:	Padrão	Protocolo:	Padrão
Modulação:	Padrão	Relações de série:	Padrão
GPIO:	Padrão	IC utilizado/parte:	Padrão
Padrões:	Padrão	Estilo:	Padrão
Tipo da memória:	Padrão	Memória que pode escrever-se:	Padrão
Resistência (ohms):	Padrão	Referência:	Padrão
Embalagem:	Embalagem de New*original	Condição:	Marca Nova e Original
Tempo de execução:	1-3 dias úteis	MOQ:	10 PCS
Porto:	Shenzhen

Fabricante Part Number:	K4FBE3D4HM-MGCJ
Tipo:	circuito integrado
Descrição:	K4FBE3D4HM-MGCJ
Voltagem - Avaria:	Padrão
Frequência - interruptor:	Padrão
Potência (watts):	Padrão
Temperatura de funcionamento:	Padrão
Tipo de montagem:	Padrão
Tensão - Fornecimento (Min):	Padrão
Voltagem - Fornecimento (máximo):	Padrão
Tensão - saída:	Padrão
Atual - saída/canal:	Padrão
Frequência:	Padrão
Aplicações:	Padrão
Tipo do FET:	Padrão
Atual - saída (máxima):	Padrão
Corrente - Fornecimento:	Padrão
Voltagem - Fornecimento:	Padrão
Frequência - Máximo:	Padrão
Poder - máximo:	Padrão
Tolerância:	Padrão
Função:	Padrão
Fornecimento de tensão - interna:	Padrão
Frequência - interrupção ou centro:	Padrão
Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo):	Padrão
Poder isolado:	Padrão
Tensão - isolamento:	Padrão
Corrente - Alta e baixa potência:	Padrão
Atual - saída máxima:	Padrão
Tensão - dianteira (Vf) (tipo):	Padrão
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo):	Padrão
Tipo entrado:	Padrão
Tipo de saída:	Padrão
Relação de transferência atual (minuto):	Padrão
Relação de transferência atual (máxima):	Padrão
Voltagem - Saída (máximo):	Padrão
Tensão - fora do estado:	Padrão
DV/dt estático (minuto):	Padrão
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo):	Padrão
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo):	Padrão
Impedância:	Padrão
Impedância - desequilibrada/equilibrada:	Padrão
Frequência de LO:	Padrão
Frequência do RF:	Padrão
Escala entrada:	Padrão
Potência de saída:	Padrão
A frequência une-se (baixo/elevação):	Padrão
Especificações:	Padrão
Tamanho / Dimensão:	Padrão
Modulação ou protocolo:	Padrão
interface:	Padrão
Saídas de potência:	Padrão
Tamanho de memória:	Padrão
Protocolo:	Padrão
Modulação:	Padrão
Relações de série:	Padrão
GPIO:	Padrão
IC utilizado/parte:	Padrão
Padrões:	Padrão
Estilo:	Padrão
Tipo da memória:	Padrão
Memória que pode escrever-se:	Padrão
Resistência (ohms):	Padrão
Referência:	Padrão
Embalagem:	Embalagem de New*original
Condição:	Marca Nova e Original
Tempo de execução:	1-3 dias úteis
MOQ:	10 PCS
Porto:	Shenzhen

Novo e original LPDDR4 SDRAM Flash Memory Chip K4FBE3D4HM-MGCJ

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Bem-vindo à nossa empresa! Somos a sua fonte completa de componentes eletrônicos (BOM). Nossa especialidade reside em fornecer uma ampla variedade de componentes eletrônicos para atender às suas diversas necessidades. Oferecemos: - Semicondutores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados (ICs) - Componentes passivos: resistores, capacitores, indutores, conectores - Componentes eletromecânicos: interruptores, relés, atuadores de sensores - Fontes de alimentação: reguladores de tensão, conversores de energia, gerenciamento de bateria - Optoeletrônica: LEDs, lasers, fotodiodos, sensores ópticos - Componentes de RF e sem fio: módulos de RF, antenas, comunicação sem fio - Sensores: sensores de temperatura, sensores de movimento, sensores ambientais.

Tipo: Circuitos integrados Componentes eletrônicos

DC:22+

MOQ:1pc

Pacote: Padrão

A gama de chips funcionais é ampla e abrange muitas áreas de aplicação diferentes, como comunicações, processamento de imagem, controle de sensores, processamento de áudio, gerenciamento de energia e muito mais.

Tipos de chips que temos
Circuitos integrados Componentes eletrônicos	ICs de Comparador	Codificador-Decodificador	ICs de Toque
ICs de Referência de Tensão	Amplificador	IC Detector de Reset	IC Amplificador de Potência
IC de Processamento Infravermelho	Chip de Interface	Chip Bluetooth	Chips Boost e Buck
Chips de base de tempo	Chips de Comunicação de Relógio	IC Transceptor	IC RF sem fio
Resistor de Chip	Chip de Armazenamento 2	Chip Ethernet	Circuitos integrados Componentes eletrônicos

Tags:

Componentes eletrônicos CI

ST ICS

RENESAS IC

Analog Devices DDA

Texas Instruments National Semiconductor

No semicondutor Fairchild

Semicondutor de escala livre

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Componentes eletrônicos de Infineon

Circuitos integrados IC

AOS IC

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Microplaqueta de Altera

Xilinx IC

Microcontrolador MCU

Mícron ISSI Samsung

Transistor do Triode do diodo

UTC ICS DE ROHM

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Resistentes e condensadores

Novo e original LPDDR4 SDRAM Flash Memory Chip K4FBE3D4HM-MGCJ

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UTC bipolar ICS do transistor ROHM,

Transistor do UTC ICS de ROHM bipolar,

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