Destacar:
Tipo: |
JFET, Transistor de Junção Bipolar, Transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
Padrão |
Série: |
Padrão |
Tipo de montagem: |
Padrão |
Descrição: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicação: |
Padrão |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Referência: |
Padrão |
Meios disponíveis: |
Outros |
Marca: |
Transistor |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
Padrão |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
Padrão |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
Padrão |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
Padrão |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
Padrão |
Poder - máximo: |
Padrão |
Frequência - transição: |
Padrão |
Embalagem / Caixa: |
Padrão |
Resistor - base (R1): |
Padrão |
Resistor - base do emissor (R2): |
Padrão |
Tipo do FET: |
Padrão |
Característica do FET: |
Padrão |
Drene à tensão da fonte (Vdss): |
Padrão |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
Padrão |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
Padrão |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
Padrão |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
Padrão |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
Padrão |
Frequência: |
Padrão |
Avaliação atual (ampères): |
Padrão |
Figura de ruído: |
Padrão |
Saídas de potência: |
Padrão |
Tensão - avaliado: |
Padrão |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
Padrão |
Vgs (máximo): |
Padrão |
Tipo de IGBT: |
Padrão |
Configuração: |
Padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
Padrão |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
Padrão |
Input: |
Padrão |
Termistor de NTC: |
Padrão |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
Padrão |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Padrão |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
Padrão |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
Padrão |
Resistência - RDS (sobre): |
Padrão |
Voltagem: |
Padrão |
Tensão - saída: |
Padrão |
Tensão - offset (Vt): |
Padrão |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
Padrão |
Atual - vale (iv): |
Padrão |
Atual - pico: |
Padrão |
Aplicações: |
Padrão |
Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Transistores SMD Componentes eletrónicos MOSFET P-Channel N-CH 30V 4A Sot-23 AO3434A SOT23
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