Destacar:
Tipo: |
Outros, Transistores de junção bipolar, Transistores IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Série: |
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Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Descrição: |
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D/C: |
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Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicação: |
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Tipo de fornecedor: |
Outros |
Referência: |
Padrão |
Meios disponíveis: |
Outros |
Marca: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
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Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
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Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
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Atual - interrupção do coletor (máxima): |
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Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
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Poder - máximo: |
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Frequência - transição: |
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Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Resistor - base (R1): |
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Resistor - base do emissor (R2): |
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Tipo do FET: |
N-canal |
Característica do FET: |
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Drene à tensão da fonte (Vdss): |
30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
4A (Ta) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
55 mOhm @ 4A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
1.4V @ 250UA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
4.34nC @ 4,5 V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
390pF @ 15V |
Frequência: |
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Avaliação atual (ampères): |
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Figura de ruído: |
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Saídas de potência: |
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Tensão - avaliado: |
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
2.5V, 10V |
Vgs (máximo): |
±12V |
Tipo de IGBT: |
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Configuração: |
NA |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
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Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistor de NTC: |
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Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
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Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dreno atual (identificação) - máxima: |
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Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
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Resistência - RDS (sobre): |
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Voltagem: |
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Tensão - saída: |
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Tensão - offset (Vt): |
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Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
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Atual - vale (iv): |
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Atual - pico: |
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Aplicações: |
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Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Transistor SMD MOSFET N-Channel Sot-23 30V 4A AO3402A AO3402 Para Citação da Lista Bom
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