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IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF

Detalhes do produto

Lugar de origem: Guangdong, China

Marca: original

Número do modelo: IRFP140N

Termos do pagamento & do transporte

Quantidade de ordem mínima: 10 peças

Preço: $1.00/pieces >=10 pieces

Detalhes da embalagem: Empacotamento antiestático

Habilidade da fonte: 10000 partes/partes por Dia

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Tipo:
Outros, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série:
7807
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Descrição:
/
D/C:
/
Tipo de embalagem:
/
Aplicação:
/
Tipo de fornecedor:
outros
Referência:
Padrão
Meios disponíveis:
Outros
Marca:
MOSFET N-CH 100V 33A a 247AC
Atual - coletor (CI) (máximo):
/
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
/
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
NA
Atual - interrupção do coletor (máxima):
NA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
NA
Poder - máximo:
NA
Frequência - transição:
NA
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Resistor - base (R1):
NA
Resistência - Base do emissor (R2):
NA
Tipo do FET:
N-canal
Característica do FET:
NA
Drene à tensão da fonte (Vdss):
100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
52 mOhm @ 16A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 250UA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
94nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1400 pF @ 25V
Frequência:
NA
Avaliação atual (ampères):
NA
Figura de ruído:
NA
Saídas de potência:
NA
Tensão - avaliado:
NA
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
±20V
Tipo de IGBT:
NA
Configuração:
NA
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
NA
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
NA
Input:
NA
Termistor de NTC:
NA
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
NA
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
NA
Dreno atual (identificação) - máxima:
NA
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
NA
Resistência - RDS (sobre):
NA
Voltagem:
NA
Tensão - saída:
NA
Tensão - offset (Vt):
NA
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao):
NA
Atual - vale (iv):
NA
Atual - pico:
NA
Aplicações:
NA
Tipo do transistor:
Transistor de potência rf mrf150
Porto:
Shenzhen
Tipo:
Outros, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série:
7807
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Descrição:
/
D/C:
/
Tipo de embalagem:
/
Aplicação:
/
Tipo de fornecedor:
outros
Referência:
Padrão
Meios disponíveis:
Outros
Marca:
MOSFET N-CH 100V 33A a 247AC
Atual - coletor (CI) (máximo):
/
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
/
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
NA
Atual - interrupção do coletor (máxima):
NA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
NA
Poder - máximo:
NA
Frequência - transição:
NA
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Resistor - base (R1):
NA
Resistência - Base do emissor (R2):
NA
Tipo do FET:
N-canal
Característica do FET:
NA
Drene à tensão da fonte (Vdss):
100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
52 mOhm @ 16A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 250UA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
94nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1400 pF @ 25V
Frequência:
NA
Avaliação atual (ampères):
NA
Figura de ruído:
NA
Saídas de potência:
NA
Tensão - avaliado:
NA
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
±20V
Tipo de IGBT:
NA
Configuração:
NA
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
NA
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
NA
Input:
NA
Termistor de NTC:
NA
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
NA
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
NA
Dreno atual (identificação) - máxima:
NA
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
NA
Resistência - RDS (sobre):
NA
Voltagem:
NA
Tensão - saída:
NA
Tensão - offset (Vt):
NA
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao):
NA
Atual - vale (iv):
NA
Atual - pico:
NA
Aplicações:
NA
Tipo do transistor:
Transistor de potência rf mrf150
Porto:
Shenzhen
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Bem-vindo à nossa empresa! Somos a sua fonte completa de componentes eletrônicos. Nossa experiência consiste em fornecer uma grande variedade de componentes eletrônicos para atender às suas diversas necessidades.Nós oferecemos:- Semicondutores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados (CI) - Componentes passivos: resistores, condensadores, inductores, conectores - Componentes eletromecânicos: interruptores,Relais, actuadores de sensores - Fornecedores de energia: reguladores de tensão, conversores de potência, gestão de baterias - Optoeletrónica: LEDs, lasers, fotodiodos, sensores ópticos - RF e componentes sem fios: módulos RF,Antenas, comunicações sem fios - Sensores: sensores de temperatura, sensores de movimento, sensores ambientais.
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 0

Tipo: Circuitos integrados Componentes electrónicos
DC22+
MOQ: 1pc
Pacote: Padrão
A gama de chips funcionais é ampla e abrange muitas áreas de aplicação diferentes, como comunicações, processamento de imagem, controle de sensores, processamento de áudio, gerenciamento de energia e muito mais.
O tipo de chips que temos



Circuitos integrados Componentes electrónicos
ICs de comparação
Código-Decodificador
ICs de toque
IC de referência de tensão
Amplificador
Reinicie o IC do detector
IC do amplificador de potência
IC de processamento por infravermelho
Chip de interface
Chip Bluetooth
Boost e Buck Chips
Chips de base de tempo
Chips de comunicação do relógio
IC transmissor
IC RF sem fio
Resistência de chip
Chip de armazenamento 2
Chip Ethernet
Circuitos integrados Componentes electrónicos
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 1
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 2
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 3
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 4
IRFP140N N-Channel 100V 33A 140W através do buraco TO-247 IRFP140NPBF 5