Destacar:
Tipo: |
Transistor bipolar, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Série: |
Padrão |
Tipo de Montagem: |
Através do Furo |
Descrição: |
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D/C: |
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Tipo de embalagem: |
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Aplicação: |
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Tipo de fornecedor: |
outros |
Referência: |
Padrão |
Meios disponíveis: |
Outros |
Marca: |
TRANS PNP 180V 2A para 220NIS |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
/ |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
/ |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
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Atual - interrupção do coletor (máxima): |
/ |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
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Poder - máximo: |
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Frequência - transição: |
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Embalagem / Caixa: |
TO-247-3 |
Resistor - base (R1): |
/ |
Resistência - Base do emissor (R2): |
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Tipo do FET: |
N-canal |
Característica do FET: |
Padrão |
Drene à tensão da fonte (Vdss): |
100 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
33A (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
52 mOhm @ 16A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
4V @ 250UA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
94nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
1400 pF @ 25V |
Frequência: |
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Avaliação atual (ampères): |
/ |
Figura de ruído: |
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Saídas de potência: |
/ |
Tensão - avaliado: |
/ |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
10 V |
Vgs (máximo): |
±20V |
Tipo de IGBT: |
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Configuração: |
Padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
/ |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistor de NTC: |
/ |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
/ |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
/ |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
/ |
Resistência - RDS (sobre): |
/ |
Voltagem: |
/ |
Tensão - saída: |
/ |
Tensão - offset (Vt): |
/ |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
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Atual - vale (iv): |
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Atual - pico: |
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Aplicações: |
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Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Transistor bipolar (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor
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