Destacar:
Tipo: |
Outros, Transistores de junção bipolar, Transistores IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
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Série: |
Padrão |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Descrição: |
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D/C: |
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Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicativo: |
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Tipo de fornecedor: |
outros |
Referências cruzadas: |
Padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
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Corrente - colector (Ic) (máximo): |
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Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
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Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: |
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Corrente - limite do colector (máximo): |
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O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
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Potência - Máximo: |
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Frequência - Transição: |
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Embalagem / Caixa: |
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Resistência - Base (R1): |
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Resistência - Base do emissor (R2): |
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Tipo de FET: |
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Característica do FET: |
Padrão |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): |
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Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: |
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
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Vgs(th) (Max) @ Id: |
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: |
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Frequência: |
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Câmbio de corrente nominal (Amp): |
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Figura de ruído: |
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Potência - saída: |
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Voltagem nominal: |
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (máximo): |
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Tipo IGBT: |
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Configuração: |
Padrão |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
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Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
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Input: |
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Termistor NTC: |
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Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
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Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dreno atual (identificação) - máxima: |
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Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
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Resistência - RDS (sobre): |
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Voltagem: |
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Voltagem - Saída: |
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Tensão - offset (Vt): |
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Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
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Atual - vale (iv): |
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Atual - pico: |
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Aplicações: |
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Tipo de transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
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