Destacar:
Tipo: |
JFET, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
/ |
Série: |
Padrão |
Tipo de montagem: |
Padrão |
Descrição: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicação: |
Padrão |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Referência: |
Padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
/ |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
/ |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
/ |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
/ |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
/ |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
/ |
Poder - máximo: |
/ |
Frequência - transição: |
/ |
Embalagem / Caixa: |
/ |
Resistor - base (R1): |
/ |
Resistência - Base do emissor (R2): |
/ |
Tipo do FET: |
/ |
Característica do FET: |
Padrão |
Drene à tensão da fonte (Vdss): |
/ |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
/ |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
/ |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
/ |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
/ |
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: |
/ |
Frequência: |
/ |
Avaliação atual (ampères): |
/ |
Figura de ruído: |
/ |
Saídas de potência: |
/ |
Tensão - avaliado: |
/ |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
/ |
Vgs (máximo): |
/ |
Tipo de IGBT: |
/ |
Configuração: |
Padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
/ |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
/ |
Input: |
/ |
Termistor NTC: |
/ |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
/ |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
// |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
/ |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
/ |
Resistência - RDS (sobre): |
/ |
Voltagem: |
/ |
Tensão - saída: |
/ |
Tensão - offset (Vt): |
/ |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
/ |
Atual - vale (iv): |
/ |
Atual - pico: |
/ |
Aplicações: |
/ |
Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
1.5A Diodo rectificador IN5391 IN5392 IN5393 IN5395 IN5397 IN5398 IN5399
Por favor verifique seu email!